高端半导体制造中必要的缺陷检测装置
采用非破坏、非接触的方式，测量抛光后300 mm硅晶圆近表面层缺陷、异物和雾度
在测量过程中，可监测和记录表面的散射图像
检测缺陷尺寸10nm~30nm
高端半导体制造
中必要的缺陷检测装置 采用非破坏性和非接触式方法测量抛光的300 mm硅片近表面层的缺陷、异物和雾度
在测量过程中，可以监测和记录
表面的散射图像检测 10 nm 至 30 nm 的缺陷尺寸
参数配置
搭载自主光路设计+高性能线扫面阵两用相机
采用2种不用波长的激光光源
采用1.25X、2.5X、 5X、 10X、50X多种物镜自动切换
搭配双端口或多端口EFEM单元对接OHT&AMR实现全自动上下料
配备独立光路设计和高性能线扫面阵列两用相机
采用两种不同波长的激光光源
采用1.25X、2.5X、5X、10X和50X多轴物镜
自动切换与双端口或多端口 EFEM 装置配对，与 OHT&AMR 对接， 实现全自动装卸
功能描述
适用产品： 半导体用12寸硅晶圆
适用工艺段：表面研磨 / 表面抛光 / 清洗 / 终检等
功能说明：
1.EFEM单元支持FOSB/FOUP/OC人工或AGV自动上料
2.采用激光散射原理，实现晶圆的全面测量
3.检测晶圆表面异物、 粗糙、划痕等，检测表面以下（0~5um）内部结晶缺陷
4.具有激光标记功能
适用产品：半导体
用12英寸硅片 适用工艺段： 表面研磨/表面抛光/清洗/终检等
功能说明：
1. EFEM 单元支持 FOSB/FOUP/OC 手动或 AGV 自动进料
2.利用激光散射原理实现对晶圆的全面测量
3.检测晶片表面的异物、 粗糙度、 划痕等，检测表面以下（0-5um）
内部晶体缺陷 4.配备激光打标功能
